高速信号为啥要走表层？

这种疑惑是缘于我之前产品经验，不管是消费类产品，还是高速产品，在这些产品领域，走线初期规划，都是默认选择：高速信号走内层。

这里面有损耗问题，还有表层阻抗问题，还有绿油的问题，这些不稳定因素，是选择高速信号走内层的原因。

这个多年做存储产品的人，给的回答竟然是：三星很多大厂都是这样做的，我们照着做的。一时间无言以对。

那就自己想办法找找原因。

下图为SSD内部的一个组成框架，三个组件：NAND闪存，控制器及固件。本文不过多地讲解这类产品的工作原理，关注的是主控和接口的连接及版图走线问题。

下图为常见存储产品表贴情况，也会发现主控和接口的走线连接在表层，这里面看到不仅仅是TX部分因为耦合电容问题，走线走表层，其实接收端RX也在表层。

在正常的情况下，Low-loss级别的板材，PCIe Gen4 走线，在表层走线的损耗大于内层的，量化指标值为0.2dB/in，这个值只是用于探讨本文的问题，具体的差值需要PCB实测数值来比较，而且每家板厂的工艺和能力是不同的。

现在的问题就是，走表层和内层的差别是什么？见下图链路结构情况，最直接的差别就是多了两个过孔：

根据相关过孔指标，过孔0.7dB的标准，如果通过残桩、反焊盘等优化处理，这个数值还可以更小一点，两个过孔取值为1 dB。

量化为过孔指标，那么两种走线模式的差别就变成了走线长度的问题，即表层走线（MicroStrip）和内层走线（StripLine）长度差问题。

考虑到表层走线和内层走线的损耗插值是0.2dB/in，两个过孔的损耗是1dB。这里面可以简单认为5 inches 是一个标准值。

考虑到存储产品布线空间，以及相关产品尺寸的限制，一般主控离接口的距离控制在1inch 左右。

未来不排除存储产品的更新换代，性能和尺寸的变更，这个5 inches是一个基准值，这里面还没有考虑表层走线反射的问题，还有绿油带来的损耗问题，这些不可量化的因素才是信号完整性解决的关键。

两害取其轻，就目前的情况，选择走表层也是一个折中优化的选择。

未来随着未来存储产品速率的提升以及产品尺寸的变化，这个值可能是4 inches，也可能是3 inches ，当然不管怎么变，基本的原理不会变，知其然，知其所以然，这才是追求技术的本质。